地面用晶體硅-試驗(yàn)后的報(bào)告（下篇）

      此篇就是關(guān)于地面用晶體硅實(shí)驗(yàn)合格判據(jù)的下篇內(nèi)容——地面用晶體硅-試驗(yàn)后的報(bào)告。話不多說(shuō)，讓我們一起來(lái)了解一下吧！

      關(guān)于此實(shí)驗(yàn)的報(bào)告:

      通過(guò)定型之后，試驗(yàn)機(jī)根據(jù)ISO/IEC 17025電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系程序給出鑒定實(shí)驗(yàn)報(bào)告證書，該證書應(yīng)包括測(cè)定的性能參數(shù)，以及任何第一次試驗(yàn)未通過(guò)測(cè)試和重新試驗(yàn)的詳細(xì)情況。所有的證書或試驗(yàn)報(bào)告必須至少包含下列各項(xiàng)信息：

      A 證書或報(bào)告的名稱；

      B 測(cè)試實(shí)驗(yàn)室的名稱和地址，以及測(cè)試進(jìn)行的地點(diǎn)；

      C 確認(rèn)證書或報(bào)告的每一業(yè)都有維 yi的序號(hào)；

      D 客戶的名稱和地址；

      E 對(duì)測(cè)試的項(xiàng)目進(jìn)行說(shuō)明和確認(rèn)；

      F 測(cè)試項(xiàng)目的性能參數(shù)和測(cè)試條件；

      G 測(cè)試開(kāi)始的日期和測(cè)試進(jìn)行的日期；

      H 對(duì)使用的測(cè)試方法的確認(rèn)；

      I 與抽樣程序相關(guān)的參考文件；

      J 任何偏離（包括增加和減少）測(cè)試方法的細(xì)節(jié)，和導(dǎo)致測(cè)試變得特殊的任何相關(guān)的信息（例如環(huán)境條件的變化）

      K 測(cè)量結(jié)果、檢查和得到的結(jié)果以及各種圖表、曲線圖、草圖和照片，包括短路電流值、開(kāi)路電壓值、峰值功率對(duì)應(yīng)的溫度系數(shù)，NOCT，在NOCT下的功率，STC和低輻照，紫外燈下進(jìn)行的紫外試驗(yàn)，通過(guò)所有試驗(yàn)后功率的最大損耗，所有失敗的記錄。

      L 測(cè)試結(jié)果中不能肯定的相關(guān)的陳述。

      M 一個(gè)簽名和標(biāo)題或者為報(bào)告的證書的內(nèi)容，以及發(fā)行日承擔(dān)責(zé)任的人的相等的鑒定。

      N 相關(guān)試驗(yàn)的測(cè)試證書和測(cè)試報(bào)告的唯 yi性的說(shuō)明；

      O 除非實(shí)驗(yàn)室同意，所有相關(guān)的測(cè)試證書和測(cè)試報(bào)告將不會(huì)再生的說(shuō)明。

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